TECAPEEK CMP natural

PEEK per applicazioni CMP

Il TECAPEEK CMP natural è stato sviluppato specificatamente per la realizzazione di anelli di contenimento CMP e fa parte del portafoglio di materiali Ensinger ideati per l’industria dei semiconduttori. Si tratta di un materiale plastico PEEK (polietereterchetone) non caricato realizzato con materia prima Victrex® PEEK.

Quando viene lavorato per la produzione degli anelli di contenimento CMP, le speciali proprietà del peek consentono una minore usura della scanalatura interna (anche chiamata attacco laterale) rispetto al PEEK industriale standard, riducendo in modo significativo il rischio di difetti del wafer. Tra i materiali per anelli di contenimento CMP, il TECAPEEK CMP offre le migliori caratteristiche di abrasione e attrito, proprietà meccaniche, stabilità dimensionale e resistenza alla temperatura, consentendo così una maggiore durata dell'anello. 

Poiché la resistenza all'usura della plastica PEEK è tre volte superiore a quella del PPS e il TECAPEEK CMP natural ha una resistenza all'usura superiore del 20% rispetto ai prodotti PEEK della concorrenza, vi è un chiaro vantaggio in termini di durata.

In genere, i consumabili CMP vengono sostituiti a multipli di quello che ha la vita più breve, in genere il tampone. Di conseguenza, la tempistica di sostituzione degli anelli è spesso allineata al "pit stop" dei pad. Ad esempio, in determinate condizioni, un anello in PPS può durare circa 4 cambi di tampone, un anello in PEEK standard può durare fino a 12 cambi di tampone e un anello in TECAPEEK CMP può durare fino a 14 cambi di tampone. Ciò ha un notevole impatto positivo sul tasso di sostituzione dell'anello e sul costo totale di proprietà.

Oltre all'ottimizzazione delle proprietà dei materiali, Ensinger ha anche sviluppato tubi di dimensioni speciali che si adattano meglio alle dimensioni tipiche degli anelli di contenimento CMP, consentendo così di ridurre gli scarti e i costi di lavorazione. Ad esempio, l'utilizzo di barre forate con diam. est. 350 mm / diam. int. 300 mm consente di ridurre fino al 27% i costi di lavorazione rispetto ai tradizionali diam. est. 360 / diam. int. 290 mm.
Come tutti i prodotti Ensinger per semiconduttori, i forati TECAPEEK CMP natural sono lavorati in conformità ai requisiti della metodologia Copy Exactly utilizzata nel settore dei semiconduttori  (nota anche come copy exact o CE) e a controlli di qualità più severi rispetto ai gradi PEEK industriali. Ulteriori controlli e misure di qualità consentono di ridurre i rischi di impurità e di migliorare le sollecitazioni interne e la stabilità dimensionale rispetto alla plastica PEEK industriale standard. Possiamo confermare che TECAPEEK CMP natural soddisfa i limiti imposti dalla direttiva RoHS 2011/65/UE sulla restrizione delle sostanze pericolose nelle apparecchiature elettriche e possiamo fornire ulteriori dichiarazioni di conformità su richiesta.

Per gli anelli di contenimento CMP che richiedono un costo inferiore del materiale e per i quali è possibile utilizzare una durata inferiore, Ensinger offre una versione in PPS - TECATRON CMP natural, anch'essa con uno speciale profilo di proprietà allineato agli anelli di contenimento CMP. Per altre applicazioni nel settore dei semiconduttori che non richiedono questo speciale profilo di proprietà, Ensinger offre una versione di PEEK di grado semiconduttore più conveniente in lastre, barre e forati: TECAPEEK SX natural.

Certificazioni

Materiale

Designazione chimica
PEEK (Polietereterchetone)
Colore
beige
Densità
1,31 g/cm3

Caratteristiche principali

  • buona temperatura di distorsione termica
  • buona lavorabilità
  • intrinsecamente ritardante di fiamma
  • resistente all'idrolisi e al vapore surriscaldato
  • alta tenacità
  • resistente alle radiazioni ad alta energia
  • buone proprietà di scorrimento e usura
  • elevata resistenza al creep

Settori di applicazione

Dettagli tecnici


  • product-technical-detail-collapse-item-0-lvl-1
    Proprietà meccaniche valore unità parametri norma
    Modulo elastico (prova di trazione) 4100 MPa 1mm/min DIN EN ISO 527-2
    Resistenza a trazione 110 MPa 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    Tensione di snervamento a trazione 110 MPa 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    Allungamento a snervamento 4 % 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    Allungamento a rottura 50 % 50mm/min DIN EN ISO 527-2
    Resistenza a flessione 160 MPa 2mm/min, 10 N DIN EN ISO 178
    Modulo elastico (prova di flessione) 3900 MPa 2mm/min, 10 N DIN EN ISO 178
    Modulo elastico (prova di compressione) 3200 MPa 5mm/min, 10 N EN ISO 604
    Resistenza a compressione 15 - 34 MPa deformazione 1%/2%/5% EN ISO 604
    Resistenza agli urti (Charpy) n.b. kJ/m2 max. 7,5J DIN EN ISO 179-1eU
  • product-technical-detail-collapse-item-1-lvl-1
    Proprietà termiche valore unità parametri norma
    Temperatura di transizione vetrosa 151 C DIN EN ISO 11357
    Temperatura di fusione 340 C DIN EN ISO 11357
    Temperatura di distorsione 162 C HDT, Metodo A ISO-R 75 Method A
    Conducibilità termica 0.27 W/(k*m) ISO 22007-4:2008
    Calore specifico 1.1 J/(g*K) ISO 22007-4:2008
    Temperatura di esercizio 300 C a breve termine NN
    Temperatura di esercizio 260 C a lungo termine NN
    Dilatazione termica (CLTE) 5 10-5*1/K 23-60°C, long. DIN EN ISO 11359-1;2
    Dilatazione termica (CLTE) 6 10-5*1/K 23-100°C, long. DIN EN ISO 11359-1;2
    Dilatazione termica (CLTE) 7 10-5*1/K 100-150°C, long. DIN EN ISO 11359-1;2
  • product-technical-detail-collapse-item-2-lvl-1
    Proprietà elettriche valore unità parametri norma
    Resistività superficiale 1015 elettrodo in argento, 23°C, 12% um. rel. -
    Resistività di volume 1015 Ω*cm elettrodo in argento, 23°C, 12% um. rel. -
    Rigidità dielettrica 73 kV/mm ISO 60243-1
    Resistenza alla corrente di dispersione superficiale (CTI) 125 V elettrodo in platino, 23°C, 50% um. rel., solvente A DIN EN 60112
  • product-technical-detail-collapse-item-3-lvl-1
    Altre proprietà valore unità parametri norma
    Resistenza all'acqua calda / soluzioni alcaline + - -
    Resistenza agli agenti atmosferici - - -
    Assorbimento d'acqua 0.02 - 0.03 % 24h / 96h (23°C) DIN EN ISO 62

Programma produzione