TECAWAFER PEEK LDS black 1066245

Innovatives Substrat Material, Powered by PEEK

Der TECAWAFER PEEK LDS black ist ein innovatives 4"-Substrat aus dem hochentwickelten Material TECACOMP PEEK LDS, das als hervorragende Alternative zu herkömmlichen Materialien wie Silizium, Keramik und Glas dient. Dieses vielseitige Substrat eignet sich ideal für Anwendungen in der Sensorik, Elektronik und Mikrosystemtechnik. Mit seiner niedrigen Wärmeleitfähigkeit ist der TECAWAFER PEEK LDS black optimal für den Einsatz in Temperatursensoren und Heizelementen geeignet. Darüber hinaus bietet der Wafer eine hohe Elastizität, was ihn besonders geeignet für Drucksensoren macht.

Die ausgezeichnete Beständigkeit des TECAWAFER PEEK LDS black gegenüber aggressiven Umgebungen und seine hohe Spannungsfestigkeit machen ihn zu einer idealen Wahl für zahlreiche industrielle Anwendungen. Der TECAWAFER ermöglicht flexible Bearbeitungsmöglichkeiten wie Laserschneiden, Fräsen und Bohren, was die Anpassung an spezifische Anforderungen erheblich erleichtert.

Ein bedeutender Vorteil des TECAWAFER PEEK LDS black ist die Optimierung des Verarbeitungsprozesses, da er die Notwendigkeit zusätzlicher Isolationsschichten reduziert. Darüber hinaus ist das Material recyclingfähig und umweltfreundlich, was zu einem reduzierten CO2-Fußabdruck beiträgt. Für Anwendungen im medizinischen Bereich sind auch biokompatible Varianten des TECAWAFER erhältlich.

Das Substrat ist kompatibel mit konventioneller Lithographie und PVD-Beschichtungen, was die Herstellung verschiedener Mikrosysteme vereinfacht. Zudem gewährleistet die kurze Lieferkette eine hohe Verfügbarkeit des TECAWAFER PEEK LDS black.

Die herausragende Oberflächenrauheit des Wafers liegt im Bereich von 20 bis 50 nm, wobei mit speziellen Werkzeugen sogar Rauheiten unter 10 nm erreicht werden können. Die Planarität beträgt 50 bis 100 µm über einen Durchmesser von 100 mm, und der Wafer ist in Dicken von 0,9 mm bis 1,5 mm erhältlich. Mit einer Temperaturbeständigkeit von bis zu 250 °C und einer hohen Durchschlagsfestigkeit von 17,5 kV/mm ist der TECAWAFER PEEK LDS black besonders gut für Anwendungen in der Temperatur- und Durchflusssensorik sowie in der Hochfrequenztechnik ~25 bis 77 GHz geeignet.

TECAWAFER PEEK LDS black bietet eine leistungsstarke und vielseitige Lösung für die Herausforderungen der Mikrosystemtechnik bietet und durch seine innovativen Eigenschaften Substratlösungen für die Mikrosystemtechnik revolutioniert. 

Mit seiner einfachen Funktionalisierbarkeit, Integrierbarkeit und Individualisierbarkeit bietet TECAWAFER die Grundlage für ganz neue Möglichkeiten in der Mikrosystemtechnik. Mehr darüber und über EMST - die Ensinger Microsystems Technology - erfahren Sie hier.

Eigenschaften:

Chemische Bezeichnung:
PEEK (Polyetheretherketon)
Farbe:
schwarz
Dichte:
1,67 g/cm3

Hauptmerkmale:

  • Lithographie geeignet
  • PVD/CVD geeignet
  • Drahtbonden möglich
  • Galvanik möglich
  • für das Verfahren der Laserdirektstrukturierung von LPKF-LDS® entwickelt
  • Reflowlöten möglich
  • inhärent flammwidrig
  • geringe Feuchteaufnahme

Zielindustrien:

Downloads:

Technische Eigenschaften


  • product-technical-detail-collapse-item-0-lvl-1
    Allgemeine Materialdaten Wert Einheit Parameter Norm
    Durchmesser 100 +-0,3 mm -
    Durchbiegung <100 micro -
    Verzug <100 micro -
    Oberflächenrauheit Ra 0,03 - 0,05 micro -
    Dicke 1100 +-25 micro -
  • product-technical-detail-collapse-item-1-lvl-1
    Mechanische Eigenschaften Wert Einheit Parameter Norm
    Zugfestigkeit 102 MPa DIN EN ISO 527-1
    Bruchdehnung (Zugversuch) 2,3 % DIN EN ISO 527-1
    Schlagzähigkeit (Charpy) 31 kJ/m2 DIN EN ISO 179-1eU
  • product-technical-detail-collapse-item-2-lvl-1
    Thermische Eigenschaften Wert Einheit Parameter Norm
    Glasübergangstemperatur 143 C -
    Schmelztemperatur 343 C -
    Einsatztemperatur 300 C kurzzeitig -
    Einsatztemperatur 260 C dauernd -
    Wärmeausdehnung (CLTE) 26 106*K-1 In der Ebene DIN EN ISO 11359-1;2
    Wärmeausdehnung (CLTE) 18 106*K-1 Senkrecht zur Ebene DIN EN ISO 11359-1;2
    Wärmeausdehnung (CLTE) 67 106*K-1 In der Ebene DIN EN ISO 11359-1;2
    Wärmeausdehnung (CLTE) 46 106*K-1 Senkrecht zur Ebene DIN EN ISO 11359-1;2
    Spezifische Wärmekapazität 0,97 J/(g*K) DIN EN 821
    Wärmeleitfähigkeit 1,7 W/(k*m) In der Ebene ISO 22007-4:2008
    Wärmeleitfähigkeit 0,5 W/(k*m) Senkrecht zur Ebene ISO 22007-4:2008
  • product-technical-detail-collapse-item-3-lvl-1
    Elektrische Eigenschaften Wert Einheit Parameter Norm
    spezifischer Oberflächenwiderstand 5,8 * 1012 DIN EN 61340-2-3
    Durchschlagsfestigkeit 17,5 kV/mm 70 mm x 70 mm x 3 mm ISO 60243-1
    Dielektrischer Verlustfaktor 0,004 Testfreqeunz 1 GHz -
    Dielektrizitätszahl 3,6 Testfreqeunz 1 GHz -
    Kriechstromfestigkeit (CTI) 225 V DIN EN 60112
  • product-technical-detail-collapse-item-4-lvl-1
    Sonstige Eigenschaften Wert Einheit Parameter Norm
    Wasseraufnahme 0,1 % 23 °C / 50 % Relative Feuchte bis Sättigung DIN EN ISO 62
    Brennverhalten (UL94) V0 - bei 0,8mm DIN IEC 60695-11-10;
    Haftfestigkeit (Leiterbahn) 19,4 N/mm2 -